電解水制氫槽中的交流阻抗(EIS)測試技術是一種重要的電化學表征方法,用于分析電解槽的內部動力學過程、界面特性及效率損失機制。以下是該技術的核心要點解析:
技術本質:通過施加小幅正弦交流電壓(或電流)擾動(通常頻率范圍0.01 Hz–100 kHz),測量系統響應電流(或電壓),得到復數阻抗譜(Nyquist圖/Bode圖)。
核心參數:
阻抗模值(|Z|)和相位角(θ):反映系統對不同頻率信號的阻礙能力及響應延遲。
等效電路擬合:通過建立電路模型(如R-CPE、Warburg擴散元件等)解析物理化學過程。
關鍵分析目標:
歐姆電阻(Rs):電解質、隔膜、接觸電阻等,高頻區截距。
電荷轉移電阻(Rct):電極/電解質界面的電化學反應阻力(如HER/OER),中頻區半圓直徑。
雙電層電容(Cdl):電極界面特性,與活性表面積相關。
擴散阻抗(Zw):質傳限制(如氣泡析出阻礙),低頻區斜線。
膜/涂層特性:PEM電解槽中質子交換膜的離子傳導性能。
設備:電化學工作站(需支持EIS功能)、三電極體系(工作/對電極/參比電極)或兩電極模式(簡化測試)。
電解槽配置:
堿性電解槽:關注隔膜阻抗與氣泡效應。
PEM電解槽:高頻區阻抗反映膜電阻(Nafion®)。
SOEC(固體氧化物):需高溫測試適配。
測試條件:
穩態極化下施加EIS(避免瞬態干擾)。
振幅選擇(5–20 mV,確保線性響應)。
干擾因素控制:
氣泡積聚:強制流動或脈沖清除。
溫度波動:恒溫系統(尤其高溫電解)。
電極極化:平衡開路電位(OCP)后再測試。
典型譜圖特征:
堿性電解槽:低頻區可能顯示擴散阻抗(氣泡影響)。
PEM電解槽:高頻半圓對應膜電阻,中頻半圓為Rct。
性能優化方向:
降低Rct:催化劑活性提升(如IrO?/Pt)。
降低Rs:優化電解質濃度或膜厚度。
原位/動態EIS:耦合實際工況(如變電流密度)。
多模態聯用:與拉曼/XAS等技術結合,揭示界面反應機理。
機器學習輔助:自動等效電路擬合與故障診斷。
復雜體系解析:多過程疊加時等效電路。
高溫/高壓適配:SOEC或高壓PEM測試需特殊裝置。
通過EIS技術,可定量區分電解槽中的各類阻抗貢獻,為材料開發、結構設計和工況優化提供關鍵依據。結合其他表征手段,能更全面指導高效制氫系統的研發。